1995-04-11
◆＜星＞ＮＥＣ、ハイスピードＤＲＡＭ販促
【シンガポール】より高速なマイクロプロセッサーの普及やマルチメディア技術の進歩に伴い、新世代のＤＲＡＭ(ﾀﾞｲﾅﾐｯｸ･ﾗﾝﾀﾞﾑ･ｱｸｾｽ･ﾒﾓﾘ)及びＳＲＡＭ(ｽﾀﾃｨｯｸRAM)チップの需要が高まっている。
  香港、台湾に次いで先頃シンガポールで新型ハイスピード・チップに関するセミナーを催したＮＥＣ幹部によると、同社のＳ－ＤＲＡＭ(ｼﾝｶﾗﾅｽDRAM)はマイクロプロセッサーの100ＭＨｚ(ﾒｶﾞﾍﾙﾂ)以上の作動速度を保証し、在来型ＤＲＡＭに5％勝る。またハイエンドなＲ－ＤＲＡＭ(ﾗﾝﾊﾞｽDRAM)は500ＭＨｚ以上の作動速度を可能にし、従来の製品を20～25％上回る。同社は目下16ＭＢ(ﾒｶﾞﾋﾞｯﾄ)Ｓ－ＤＲＡＭの製造を行っており、8ＭＢ、16ＭＢ及び18ＭＢのＲ－ＤＲＡＭの製造も準備している。96－97年には同社の製品の5分の1がこれらのチップで占められ、向こう4年間に両製品はメモリ・チップの主流に成る見通しと言う。(BT:4/10)